机译:磨料尺寸对蓝宝石晶片高压化学机械抛光的影响
Korea Inst Ind Technol, Busan 618230, South Korea.;
Korea Inst Ind Technol, Busan 618230, South Korea.;
Korea Inst Ind Technol, Busan 618230, South Korea.;
Pusan Natl Univ, Grad Sch Mech Engn, Busan 609836, South Korea.;
Chemical mechanical polishing (CMP); High-Pressure; Abrasive size; Removal amount; Friction; Sapphire wafer;
机译:通过具有不同磨料粒径的十字图案抛光垫抛光蓝宝石晶片的磨料去除深度
机译:十字图案抛光垫化学机械抛光不同浆料浓度下蓝宝石晶片的磨料去除深度研究
机译:掺Nd3 +的胶体SiO2复合磨料:蓝宝石晶片的合成及其对化学机械抛光(CMP)性能的影响
机译:化学机械抛光中的材料去除区:浆料化学品,磨料尺寸分布和晶圆垫接触面积的偶联效果
机译:化学机械抛光中垫-磨料-晶片接触的力学
机译:超声化学机械抛光与超声研磨相结合的单晶碳化硅晶片材料去除及表面生成研究
机译:磨料大小对蓝宝石晶圆高压化学机械抛光的影响