金属氧化物半导体场效晶体管限流控制电路

摘要

本发明提供了一种金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)限流控制电路，具有一MOSFET、一第一放大器、一定电流限压电路及一第一晶体管，该MOSFET的漏极电连接至该输入电源、源极电连接至该负载且接地、栅极电连接至该定电流限压电路；该第一晶体管的发射极电连接至该定电流限压电路、基极电连接至该第一放大器、集电极接地；该第一放大器用以检测该MOSFET限流控制电路的输出电压，通过该第一晶体管并配合该定电流限压电路来控制该MOSFET的栅极电压为一稳定值，以限制该MOSFET的漏极电流大小，保护该MOSFET，且未设置有限流电阻，以减少能量的损耗。