兼容CMOS制程的肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种兼容CMOS制程的肖特基二极管的制造方法，包括步骤：在硅衬底上形成N型硅外延层；采用光刻工艺选定形成肖特基二极管的金属极的区域；进行硅注入将金属极的形成区域的所述N型硅外延层非晶化；采用高温钛溅射工艺在金属极的形成区域形成一层钛层；对钛层进行第一次快速热退火处理并形成C‑49相位的钛硅合金；进行第二次快速热退火处理将钛硅合金转变为C‑54相位。本发明能降低器件的漏电流，提高器件的性能，能和CMOS制程良好兼容。