短通道沟槽MOSFET及制备方法

摘要

本发明的各个方面提出了一种沟槽MOSFET，其通道长度由本体‐漏极结的补偿掺杂控制，以便在沟槽附近形成一个游走区。通道长度限定在底部的游走区和顶部的源极区之间。尽管游走区和源极区的离子种类不同，但是它们的导电类型相同。要强调的是，本摘要必须使研究人员或其他读者快速掌握技术说明书的主旨内容，本摘要符合以上要求。应明确，本摘要将不用于解释或局限权利要求书的范围或意图。