机译:“具有短通道效应的深亚微米Mosfets的分析通道热噪声模型”的更正[固态电子技术51(7)(2007)1034-1038]
School of Electrical Engineering, Seoul National University, San 56-1, Shintim-dong, Kwanak-gu, Seoul 151-742, Republic of Korea;
机译:具有短沟道效应的深亚微米MOSFET的分析沟道热噪声模型
机译:速度饱和和热载流子效应对深亚微米MOSFET沟道热噪声模型的影响
机译:短沟道MOSFET的紧凑沟道热噪声模型在CMOS RFIC设计中的应用
机译:深亚微米MOSFET中的分析高频通道热噪声建模
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:电渗效应和放热化学反应微通道中纳米流体模型的建模与模拟。及放热化学反应
机译:短通道MOSFET的热噪声建模