高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本申请涉及沟槽MOSFET和形成沟槽MOSFET的方法。高迁移率的P‑沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管。根据本发明的一种实施例，功率MOSFET被制作成使空穴在沿着(110)晶面或其等价面的反转/累积沟道中流动，当相对于源极施加负电压到栅极时，电流沿[110]方向或其等价方向。增强的空穴沟道迁移率导致导通电阻的沟道部分减小，因此，有利地减少了装置的全“导通”电阻。