机译:多频逆变电荷泵用于高k ∕ InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管的电荷分离和迁移率分析
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:HfO_2 /金属栅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中通过电荷泵技术测量的异常陷阱的分析
机译:具有高k栅极电介质的增强型GaAs场效应晶体管中的精确反转电荷和迁移率测量
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:用于高k / InGaas金属氧化物半导体场效应晶体管中的电荷分离和迁移率分析的多频反转电荷泵浦