具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I‑V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n⁺GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一InAlN势垒层、第一GaN主量子阱层、第二GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、第二GaN隔离层和n⁺GaN发射极欧姆接触层；辅体部分有环形电极、圆形电极和钝化层。环形电极在n⁺GaN集电极欧姆接触层上方，圆形电极在n⁺GaN发射极欧姆接触层上方，钝化层在环形和圆形电极上方。本发明能有效提高器件功率、降低功耗并改善可重复性，适用于太赫兹频段工作。