机译:电流噪声和下降的发光二极管在载流子从量子阱的InGaN / GAN涉及的缺陷的隧穿效率
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;
机译:基于GaN / InGaN / AlGaN / InGaN / GaN的梯度成分的InGaN基蓝色发光二极管的载流子分布改善
机译:通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性
机译:GaN-Ingan-GaN屏障的起源在增强InGaN / GaN绿色发光二极管的空穴注射中
机译:高亮度GaN的发光二极管使用ITO / n〜+ -ingan / Ingan Superlattice / n〜+ -gan / p-gaN隧道junctio
机译:TiN薄膜和InGaN / GaN点对纳米线的电子动力学
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质