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公开/公告号CN113964234A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 陕西科技大学;
申请/专利号CN202111106593.6
发明设计人 单恒升;梅云俭;楚阳阳;刘胜威;徐超明;马淑芳;许并社;
申请日2021-09-22
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0304(20060101);H01L31/0352(20060101);
代理机构61263 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李振瑞
地址 710021 陕西省西安市未央大学园区
入库时间 2023-06-19 13:57:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-21
公开
发明专利申请公布
机译: 表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译: / InGaN / GaN多量子阱结构层的制造方法
机译: 一种制造基于InGaN的多量子阱层的方法
机译:阱层厚度对InGaN / GaN多量子阱太阳能电池量子和能量转换效率的影响
机译:具有原位 italic> AlN成核层的InGaN / GaN多量子阱太阳能电池的转换效率提高
机译:在GaN盖层中使用$ {hbox {H}} _ {2} $的短周期InGaN / GaN多量子阱太阳能电池效率提高
机译:使用CdS量子点和分布式布拉格反射器提高InGaN / GaN多量子阱太阳能电池的效率
机译:基于高介电常数材料的有机太阳能电池:一种提高效率的方法。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:通过分级组成多量子阱,增强了基于InGaN的太阳能电池的电力转换效率
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质