缺陷对InGaN/GaN蓝光发光二极管载流子注入的影响

摘要

缺陷引起的非辐射复合会造成InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的光功率和外量子效率(EQE)降低,为了揭示其背后的物理原因,本文研究了Shockley-Read-Hall(SRH)复合相关的电子和空穴在多量子阱(MQWs)区域的复合过程,以及缺陷对于载流子注入效率的影响.研究结果表明载流子的注入效率非常容易受到LED中缺陷的影响,尤其是在LED结构的p-GaN层和n-GaN层中.这将导致载流子被LED中的缺陷捕获,从而以非辐射复合的形式被大量消耗.最终,大大降低了载流子注入到多量子阱区域的效率,也正是由于这个原因导致了LED的外量子效率随之下降.此外,还研究了缺陷对漏电流的影响,研究结果表明缺陷可以作为LED的分流电阻,形成一个漏电通道,从而引起漏电流的产生.