一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法。该方法首先采用电化学刻蚀法，以生长在c‑面蓝宝石衬底上的GaN/n‑GaN周期性结构为阳极，以Pt丝为阴极，在硝酸、草酸或氢氟酸酸性溶液中刻蚀制备纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；然后，采用MOCVD方法在纳米多孔GaN分布布拉格反射镜上外延生长InGaN基蓝光LED。所得InGaN基蓝光LED表面光滑平整，发光强度和荧光寿命分别是参比LED的5‑8倍和3‑5倍。所制备的具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光LED可用于照明、平面显示、生物医学器件等应用领域。