首页> 外文OA文献 >Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer

【2h】

Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer

机译：具有和不具有n-InGaN电子存储层的蓝色InGaN / GaN量子阱二极管的电致发光效率

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Otsuji N; Fujiwara Kenzo; Sheu J.K.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2006
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer [J] . N. Otsuji, K. Fujiwara, J. K. Sheu Journal of Applied Physics . 2006,第11期

机译：具有和不具有n-InGaN电子存储层的蓝色InGaN / GaN量子阱二极管的电致发光效率
2. Effects of two-step Mg doping in p-GaN on efficiency characteristics of InGaN blue light-emitting diodes without AlGaN electron-blocking layers [J] . Ryu Han-Youl, Lee Jong-Moo Applied Physics Letters . 2013,第18期

机译：p-GaN中两步掺Mg对不具有AlGaN电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管的效率特性的影响
3. Effects of two-step Mg doping in p-GaN on efficiency characteristics of InGaN blue light-emitting diodes without AlGaN electron-blocking layers [J] . Han-Youl Ryu, Jong-Moo Lee Applied Physics Letters . 2013,第18期

机译：p-GaN中两步掺Mg对不具有AlGaN电子阻挡层的InGaN蓝色发光二极管的效率特性的影响
4. Impact of the forward bias on the radiative recombination efficiency in blue (In,Ga)N/GaN quantum-well diodes with an electron reservoir layer [C] . Otsuji, N., Takahashi, . 2005

机译：正偏对具有电子存储层的蓝色（In，Ga）N / GaN量子阱二极管中辐射复合效率的影响
5. High-Efficiency Violet and Blue InGaN Microcavity Light-Emitting Diodes [D] . Back, Joonho. 2021

机译：高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
6. Impact of Plasma Electron Flux on Plasma Damage‐Free Sputtering of Ultrathin Tin‐Doped Indium Oxide Contact Layer on p‐GaN for InGaN/GaN Light‐Emitting Diodes [O] . Kwang Jeong Son, Tae Kyoung Kim, Yu‐Jung Cha, 2018

机译：等离子体电子通量对InGaN / GaN发光二极管p-GaN上超薄锡掺杂氧化铟接触层的无损溅射溅射的影响
7. Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer [O] . Otsuji N, Fujiwara Kenzo, Sheu J.K. 2006

机译：有和没有n-InGaN电子存储层的蓝色InGaN / GaN量子阱二极管的电致发光效率

Electroluminescence efficiency of blue InGaN/GaN quantum-well diodes with and without an n-InGaN electron reservoir layer

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅