CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法

摘要

本发明提供了CMOS中P型源漏离子注入对准度的监控结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型源漏离子注入区，P型源漏离子注入区由P型阱‑P型源漏极结构构成，包括：P型阱、P型源漏极、栅极、介质层以及对应于P型源漏极的接触孔；光阻区由P型阱‑N型源漏极结构构成包括：P型阱、N型源漏极、栅极、介质层，以及对应于N型源漏极的接触孔；对P型源漏离子注入区和光阻区分别注入P型源漏极离子和N型源漏极离子；经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型源漏离子注入对准度的实时监控，避免P型源漏离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。