法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-01
授权
授权
2014-10-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20140725
实质审查的生效
2014-10-08
公开
公开
机译: 一种制备具有mos的cmos组件的方法-降低漏极和源极区的晶体管,将si / ge材料注入pmos晶体管的漏极和源极区
机译: 由垂直自对准CoSi2在凸起的源极漏极Si / SiGe器件上形成的超低接触电阻CMOS的方法和结构
机译: 由垂直自对准CoSi2在凸起的源极漏极Si / SiGe器件上形成的超低接触电阻CMOS的方法和结构