栅与源/漏交叠对自对准a-IGZO TFTs性能的影响

摘要

本文研究了自对准结构非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)栅极与源极/漏极的交叠长度Lov对器件性能的影响.背面曝光光刻技术被采用以制备自对准的底栅底接触a-IGZO TFTs.通过变化光刻工艺中背面曝光的时间实现了对Lov的调整.当Lov小于0.75 um时,因为源极和漏极的寄生电阻RSD增加,导致器件的电学性能,如场效应迁移率和亚阈值摆幅,退化明显.通过这种方法,在保证器件电学性能未发生明显退化情况下,实现将Lov减至0.9um.和常规工艺制备的底栅底接触结构a-IGZO TFTs相比,自对准工艺将栅极和源极/漏极间的交叠电容CGS/CGD降低了50％.