法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-18
授权
授权
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20101119
实质审查的生效
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20101119
实质审查的生效
2015-10-21
公开
公开
2015-10-21
公开
公开
机译: 具有弯曲的栅电极的半导体器件,该弯曲的栅电极与弯曲的侧壁绝缘膜对准并且在沟道区域与源极和漏极区域之间具有应力引入层
机译: 具有弯曲的栅电极的半导体器件,该弯曲的栅电极与弯曲的侧壁绝缘膜对准并且在沟道区域与源极和漏极区域之间具有应力引入层
机译: 具有弯曲的栅电极的半导体器件,该弯曲的栅电极与弯曲的侧壁绝缘膜对准并且在沟道区域与源极和漏极区域之间具有应力引入层