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具有垂直鳍状件的鳍式场效应晶体管及其形成方法

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在形成器件的方法中，蚀刻(110)硅衬底以在(110)硅衬底中形成第一沟槽，其中，位于第一沟槽之间的(110)硅衬底的剩余部分形成硅条。硅条的侧壁具有(111)表面方向。用电介质材料填充第一沟槽以形成浅沟槽隔离(STI)区域。去除硅条以形成位于STI区域之间的第二沟槽。实施外延以在第二沟槽中生长半导体条。对STI区域的顶部部分开槽，位于STI区域的被去除顶部部分之间的半导体条的顶部部分以形成半导体鳍状件。本发明还公开了具有垂直鳍状件的鳍式场效应晶体管及其形成方法。

著录项

公开/公告号CN103199019B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-12-21

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201210193763.3
发明设计人刘铭棋;
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申请日2012-06-12
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:50:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-21

授权

授权
2013-08-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20120612

实质审查的生效
2013-07-10

公开

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