鳍部、鳍部及鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍部、鳍部及鳍式场效应晶体管的形成方法，所述鳍部的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一子鳍部；形成覆盖所述半导体衬底表面的牺牲层，所述牺牲层的表面与第一子鳍部的顶部表面平齐；去除部分厚度的第一子鳍部，形成凹槽，剩余的第一子鳍部作为第一鳍部；在凹槽的底部形成硅锗层，在硅锗层表面形成单晶硅层，单晶硅层的表面与牺牲层的表面的平齐；去除部分厚度的牺牲层，暴露出硅锗层的侧壁；沿硅锗层的两侧去除部分宽度的硅锗层，形成第二鳍部。本发明实施例的方法提高了鳍式场效应晶体管的驱动电流。