具有在漂移区下面的腔体的DMOS晶体管

摘要

一种在绝缘体上的硅（SOI）结构（102）上形成的横向DMOS晶体管（300）由于在所述SOI结构的体区（104）中形成的腔体（310）而具有较高的击穿电压。所述腔体露出位于所述DMOS晶体管的漂移区的垂直正下方的所述SOI结构的绝缘体层（106）的底表面的一部分。