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低封装应力的MEMS压阻式压力传感器芯片

摘要

本实用新型属于压力传感器技术领域,具体涉及低封装应力的MEMS压阻式压力传感器芯片,包括之间设有隔离槽的压力敏感结构和支撑框架结构,压力敏感结构通过一个悬臂梁与支撑框架结构连接,压力敏感结构的正下方设有隔离空腔。压力敏感结构通过正下方的隔离空腔实现悬空,与封装管壳或者基板完全分离。支撑框架结构实现芯片在管壳或者基板上的固定,同时,芯片PAD全部设在支撑框架结构上,以减小封装时金线键合焊点引起的应力。压力敏感结构和四周支撑框架结构通过隔离槽实现物理上的分离,特殊设计的悬臂梁保证与支撑框架部分的连接,使芯片压力敏感部分不受封装工艺的影响,对封装引起的机械应力进行隔离,减小传感器受封装应力的影响。

著录项

  • 公开/公告号CN216559442U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2022-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 龙微科技无锡有限公司;

    申请/专利号CN202122963147.9

  • 发明设计人 汪祖民;

    申请日2021-11-29

  • 分类号G01L1/18;B81B7/00;B81B7/02;

  • 代理机构无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人苗雨

  • 地址 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园G5栋

  • 入库时间 2022-08-23 06:54:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-17

    授权

    实用新型专利权授予

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