压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究

摘要

在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响.同时采用5V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较.测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99％,重复性高达0.35％,迟滞性为0.1％,有望用到实际工程应用中.