一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片

摘要

本实用新型公开了一种耐高温MEMS硅压阻式压力敏感芯片，包括主体，主体包括硅片衬底，所述硅片衬底上设置有敏感电阻层和绝缘层，硅片衬底上部还形成有多孔硅结构，硅片上设置有铝膜，主体底部装设有一半封装部，半封装部内腔中设置有阻尼释放结构，硅片衬底底部设置有与封装部连接的容纳部，容纳部设置有第一吸附层和第二吸附层，第一吸附层安装在硅片衬底底部的封装面上，第二吸附层安装在半封装部上，第一吸附层和第二吸附层上分别装设有第一贴合模和第二贴合模，第一贴合模和第二贴合模上设置有位置相对错开分布的容纳孔，主体与半封装部连接处还装设导热部和透气部，主体与半封装部之间通过叠块连接，使得主体具有很好的导热性能、透气性和缓冲性。