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一种重新布线的晶圆级封装结构

摘要

本实用新型提供了一种重新布线的晶圆级封装结构,包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层,衬底表面具有多个引出电极,引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接,钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口,第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接,第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口,第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面,因此,可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层,从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层,进而可以节省材料,降低封装成本。

著录项

  • 公开/公告号CN212874486U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2021-04-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海艾为电子技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202022353831.0

  • 发明设计人 于龙杰;殷昌荣;

    申请日2020-10-21

  • 分类号H01L23/498(20060101);H01L21/48(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人李婷婷

  • 地址 201199 上海市闵行区秀文路908弄2号1201室

  • 入库时间 2022-08-22 20:30:25

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