一种二维AlN/GaN HEMT射频器件

摘要

本实用新型公开了一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiN_X钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本实用新型采用厚度仅为几个原子层的二维AlN层替代AlGaN势垒层，在提高异质结极化强度的同时，提高器件的纵横比，有利于实现器件频率和效率的同步提升。