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刘剑; 程知群; 胡莎; 周伟坚;
中国电子学会;
浙江省电子学会;
氮化镓; HEMT工艺; 优化设计; 电子迁移率;
机译:具有InGaN / GaN MQW背势垒结构的AlGaN / AlN / GaN HEMT结构的2DEG特性的数值研究
机译:具有通过MOCVD生长的AlN中间层的AlGaN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMTs结构
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:ALN间隔层和GaN背面对AlGaN / ALN / INGAN / GAN高电子迁移率晶体管的光电性质的作用
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:用于GaN,GaN / alGaN和GaN / InGaN核壳纳米线中少数载流子扩散的无接触测量的传输成像。
机译:GaN / AlN,GaN / AlGaN / AlN和AlGaN氮化物陶瓷的制造方法
机译:用于光电应用的晶圆键合方法(AlN,InN,GaN,AlInN,AlGaN,InGaN或AlInGaN)和(ZnS,ZnSe或ZnSSe)
机译:用于在蓝宝石上生长GaN的InGaN / AlGaN / GaN多层缓冲液
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