公开/公告号CN211401941U
专利类型实用新型
公开/公告日2020-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 江苏纳沛斯半导体有限公司;
申请/专利号CN201922108224.5
申请日2019-11-29
分类号G01N3/08(20060101);
代理机构
代理人
地址 223002 江苏省淮安市工业园区发展大道18号
入库时间 2022-08-22 16:25:13
机译: 铜柱凸块晶圆级封装
机译: 将焊料凸块施加在例如玻璃的接触表面上的方法晶圆以生产晶圆级封装,包括通过喷射印刷工艺在焊盘上喷涂焊膏部分,并在氮气氛中将部分熔化成焊块
机译: 引线键合技术在晶圆凸块,晶圆级芯片级封装结构上的应用及其制造方法