法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-22
授权
授权
2014-05-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20131224
实质审查的生效
2014-04-23
公开
公开
机译: 制造应变半导体层的方法,制造半导体器件的方法和适用于这种方法的半导体衬底,包括在应变层的底部附近具有锗的薄三角型面层
机译: 在缺陷密度小的应变补偿叠层上生产应变层,包括在硅衬底上布置弛豫的硅锗缓冲层,在弛豫的缓冲层上布置中间层
机译: 在绝缘子上制作应变晶体层的方法,其半导体结构以及由此制成的半导体结构,以便在绝缘子上轻松生长应变硅层