机译:评论“使用Si +离子预注入到Si衬底上以增强GexSi1-x变质缓冲层的应变弛豫,以便在Si衬底上生长Ge层” Appl Phys Lett 90,083507(2007)
机译:评论“使用Si〜+预离子注入到Si衬底上以增强Ge_xsi_(1-x)变质缓冲层的应变弛豫,以在Si衬底上生长Ge层” [应用物理来吧90,083507(2007)]
机译:响应“关于'确定GaN / Si系统中多个AlGaN缓冲层中合金成分和应变的评论'[Appl。物理来吧106,176101(2015)
机译:评论“确定GaN / Si系统中多个AlGaN缓冲层中的合金成分和应变” [Appl。物理来吧105,232113(2014)]
机译:气体离子注入硅衬底中诱导异质外延Si1-xGex / Si薄膜应变松弛的纳米腔缓冲液
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:自组装单层的生长从基材上解耦:使用缓冲层核心on-command
机译:评论“使用Si +离子预注入到Si衬底上以增强GexSi1-x变质缓冲层的应变弛豫,以便在Si衬底上生长Ge层” Appl Phys Lett 90,083507(2007)