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金智; 杨树人; 安海岩; 马春生; 王本忠; 刘式墉;
集成光电子国家重点联合实验室;
应变外延层; 外延生长; 非应变盖层; 稳定性;
机译:非应变覆盖层对应变层中过应力的影响
机译:III-V半导体应变层异质外延中的应变弛豫和界面稳定性:原子和连续模型以及与实验的比较
机译:应变和非应变合金层的形貌和成分不稳定性
机译:通过分子束外延生长在非平面图案化砷化镓(001)衬底上进行无应变和应变半导体纳米结构的制造。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:(Ga,mn)(Bi,as)外延层中错配应变对其应变的影响 磁性和磁性传输特性
机译:刚性基底上应变外延层的平衡稳定性。
机译:具有外延稀土氧化物中间层的植入物退火缓冲层/应变松弛缓冲层上的低缺陷松弛SiGe /应变Si结构及其制造方法
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