机译:制造应变半导体层的方法,制造半导体器件的方法和适用于这种方法的半导体衬底,包括在应变层的底部附近具有锗的薄三角型面层
公开/公告号US7554138B2
专利类型
公开/公告日2009-06-30
原文格式PDF
申请/专利号US20050629684
申请日2005-06-07
分类号H01L29/80;H01L31/112;H01L29/792;H01L31/117;H01L21/8238;H01L21/22;H01L21/38;
国家 US
入库时间 2022-08-21 19:30:57