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公开/公告号CN207367927U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-05-15
原文格式PDF
申请/专利权人 顾瑾;
申请/专利号CN201720557420.9
发明设计人 顾瑾;
申请日2017-05-18
分类号
代理机构
代理人
地址 200093 上海市杨浦区控江五村119号202室
入库时间 2022-08-22 04:59:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-15
授权
机译: 用于开发处理晶圆整体表面的均匀性的方法,该晶圆具有高的均匀性,一种计算机存储介质以及一种基板处理装置
机译: 晶圆电镀设备,用于提高工艺均匀性
机译: 晶圆运输系统,使用该晶圆运输工厂的半导体制造厂结构以及一种晶圆运输方法,能够最大程度地提高集成度
机译:一种新颖的晶圆操纵方法,可提高3D晶圆上晶圆堆叠IC的良率并降低成本
机译:LSPR光谱法评估晶圆级印迹的均匀性:一种用于纳米级结构的高容量表征方法
机译:(320-1506-2-PB)用于过程布局环境的关键设备决策支持系统:以晶圆晶圆为例
机译:通过去除背面薄膜来提高晶圆热均匀性和提高晶圆边缘产量的有效方法
机译:扭曲晶圆键合:一种新技术,可将所有III-V化合物单片集成到(光电)电子设备中。
机译:P164-M凝胶粉碎机的优化:一种用于提高凝胶回收率的自动凝胶内消化的离心设备。
机译:晶圆CD均匀性在阴性开发过程中提高
机译:一种简单的设备,用于光电整体增益和阴极均匀性的系列测试