用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种用于提高功率PMOS管开关速度的PMOS管驱动电路，包括NPN型三极管Q2、NMOS管Q3、肖特基二极管D2、电容C2、电阻R1、电阻R2、电阻R3和电阻R4，NMOS管Q3的栅极与电阻R3的一端连接，NMOS管Q3的漏极与电阻R2的一端连接；NPN型三极管Q2的基极通过电容C2与NMOS管Q3的漏极连接，NPN型三极管Q2的集电极与待驱动的PMOS管的源极连接，NPN型三极管Q2的发射极与电阻R2的另一端和待驱动的PMOS管的栅极连接。本实用新型电路结构简单，实现方便且成本低，能够有效保证PMOS管快速导通与关断，电路工作效果高，工作可靠性高，实用性强，市场前景广阔。