退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
甘学温; WALTONAJ;
北京大学微电子学研究所;
爱丁堡大学电子工程系;
响应表面; 模型拟合; 集成电路; PMOS器件; 埋沟道;
机译:使用沟道预非晶化制造的浅掺杂层的埋沟道pMOS器件的特性
机译:1.5V单功函数W / WN / n / sup +/-多晶硅栅CMOS器件设计,具有用于90nm垂直单元DRAM的110nm掩埋沟道PMOS
机译:掩埋沟道PMOS器件中的阈值电压-最小栅极长度的折衷方案,用于按比例缩放的电源电压CMOS技术
机译:在小于0.18um的表面沟道PMOS器件中优化多晶硅损耗与硼渗透之间的权衡的系统方法
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:通过利用电荷俘获动力学模拟n和p沟道MoS2晶体管中的突触响应
机译:使用晶格Boltzmann和平滑型材方法的相结合的对称突起的沟道中的颗粒流模拟
机译:用于流体动力电路的Cae程序的模拟压力和流量控制阀的理论和经验方法相结合的方法
机译:使用铟的有源区注入方法可增强表面沟道PMOS器件的短沟道性能
机译:具有表面沟道pmos晶体管的biCMOS器件的制造方法
机译:具有表面沟道PMOS晶体管的BiCMOS器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。