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碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构及离子植入机

摘要

本创作提供一种碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构,包含一主体层及一碳化钨镀膜层,其中主体层为含钨金属的化合物或纯钨金属以及设在主体层之上的碳化钨镀膜层。本创作的碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构特别适合应用在离子植入机内具有高度离子轰击部位的组件,并在含有氟性化合物气体或含氧化物气体的高温工作环境(500‑900℃)下,如离子腔、离子腔出口等,其使用寿命为现有技术现有技术的2‑5倍。

著录项

  • 公开/公告号CN206210747U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 建泓科技实业股份有限公司;

    申请/专利号CN201621265438.3

  • 发明设计人 潘俊斌;余庆璋;

    申请日2016-11-24

  • 分类号

  • 代理机构广州三环专利代理有限公司;

  • 代理人郑裕涵

  • 地址 中国台湾台北市南京东路3段287号10楼之1

  • 入库时间 2022-08-22 02:33:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-31

    授权

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