用于降低源漏极间电阻的MOS场效应管及其制造方法

摘要

用于降低源极和漏极之间电阻的MOS场效应管，包括连续地形成在半导体衬底上的一个栅绝缘层和一个栅电极。深源/漏区形成在半导体衬底上部的栅电极两侧。源/漏延伸区形成在半导体衬底的上部，从深源/漏区向沟道区延伸至栅电极以下，比深源/漏区薄。在每个深源/漏区的表面上形成一个具有第一厚度的第一硅化物层部分。形成一个具有薄于第一硅化物层第一厚度的第二厚度的第二硅化物层部分，并从第一硅化物层部分延伸到每个源/漏延伸区的预定上部。