公开/公告号CN205656859U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市芯飞凌半导体有限公司;
申请/专利号CN201620159193.X
申请日2016-03-02
分类号
代理机构深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙);
代理人林俭良
地址 518000 广东省深圳市南山区科技园北朗山路7号中航工业南航大厦908
入库时间 2022-08-22 01:47:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-10-19
授权
授权
机译: 形成具有局部SONOS结构的非易失性存储器件的方法,该结构使用间隔物来调节栅电极和电荷俘获层之间的重叠
机译: 形成具有局部SONOS结构的非易失性存储器件的方法,该结构使用间隔物来调节栅电极和电荷俘获层之间的重叠
机译: 形成具有局部SONOS结构的非易失性存储器件的方法,该结构使用间隔物来调节栅电极和电荷俘获层之间的重叠