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【2h】

High Density and Low Voltage Programmable Scaled SONOS Nonvolatile Memory for the Byte and Flash-Erased Type EEPROMs

机译：高密度和低压可编程缩放Sonos非易失性存储器，用于字节和闪存型EEPROM

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1. High Injection Efficiency and Low-Voltage Programming in a Dopant-Segregated Schottky Barrier (DSSB) FinFET SONOS for nor-type Flash Memory [J] . Choi S.-J., Han J.-W., Jang M.-G., Electron Device Letters, IEEE . 2009,第3期

机译：用于普通型闪存的掺杂剂隔离肖特基势垒（DSSB）FinFET SONOS中的高注入效率和低电压编程
2. Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels [J] . Ngoc Huynh Van, Jae-Hyun Lee, Dongmok Whang, Nano-Micro Letters . 2015,第1期

机译：基于O型栅极有机铁电P（VDF-TrFE）场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件，使用p型硅纳米线通道
3. Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels [J] . Ngoc Huynh Van, Jae-Hyun Lee, Dongmok Whang, 纳微快报：英文版 . 2015,第001期

机译：基于O型栅极有机铁电P（VDF-TrFE）场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件，使用p型硅纳米线通道
4. Low voltage and fast program and erase SONOS with thick tunnel oxide for low cost embedded EEPROM-like memory applications [C] . N. Akil, M. van Duuren, D. S. Golubovic, Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop . 2008

机译：低电压和快速程序和擦除具有厚隧道氧化物的SONOS，用于低成本嵌入式EEPROM类似的存储器应用
5. Physics, technology and electrical aspects of scaled MONOS/SONOS devices for low voltage nonvolatile semiconductor memories (NVSMs). [D] . Libsch, Frank Robert. 1989

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6. Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels [O] . Ngoc Huynh Van, Jae-Hyun Lee, Dongmok Whang, -1

机译：基于Ω型栅极有机铁电P（VDF-TrFE）场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
7. Low-Programmable-Voltage Nonvolatile Memory Devices Based on Omega-shaped Gate Organic Ferroelectric P(VDF-TrFE) Field Effect Transistors Using p-type Silicon Nanowire Channels [O] . 2015

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8. 2K nonvolatile shadow RAM and 265K EEPROM SONOS nonvolatile memory development [R] . Nasby, R. D. , Murray, J. R. , Habermehl, S. D. , 1998

机译：2K非易失性影子Ram和265K EEpROm sONOs非易失性存储器开发

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