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光刻散焦的检测方法、检测系统及光刻工艺的优化方法

摘要

本发明一种光刻散焦的检测方法和检测系统及光刻工艺的优化方法,采用三维OCD检测光刻工艺的散焦问题。通过建立三维图形模拟库,三维图形模拟库包括散焦类型不同的多组参考图形单元的三维图形信息,利用三维OCD扫描的待检测区域,获得待检测图形单元的三维图形信息,将待检测图形单元的三维图形信息与多组参考图形单元的三维图形信息进行比对,找到与待检测图形单元的三维图形信息相似度最高的参考图形单元,从而确定待检测区域的散焦或发生散焦的类型,通过优化光刻工艺的曝光参数并多次重复上述检测方法可以达到逐步优化光刻工艺的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN102890421B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110202734.4

  • 发明设计人 沈满华;黄怡;

    申请日2011-07-19

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-11

    授权

    授权

  • 2013-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20110719

    实质审查的生效

  • 2013-01-23

    公开

    公开

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