一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法及光刻工艺

摘要

本发明公开了一种用于减少晶片边缘区域曝光散焦的曝光方法，该方法包括：保持晶片中心区域的曝光能量和焦距不变，对晶片边缘区域的曝光能量和曝光焦距进行调整。具体为在进行曝光的过程中，将晶片边缘区域的曝光焦距向正方向调整，曝光能量减小。本发明同时还提供了一种包括上述曝光方法的光刻工艺。该发明通过调整曝光过程中晶片边缘的焦距和能量，在不更新先进的机台而且不更改光刻胶的前提下，仅通过优化光刻程序，解决晶片边缘曝光散焦的问题，验证周期短，而且没有额外的成本。