公开/公告号CN103788736B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-20
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳先进技术研究院;
申请/专利号CN201410017166.4
申请日2014-01-14
分类号C09D4/02(20060101);C09D4/06(20060101);C09D161/06(20060101);C09D5/25(20060101);C09D7/12(20060101);H01L21/31(20060101);H01L21/768(20060101);
代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;
代理人吴平
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号
入库时间 2022-08-23 09:38:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-01-11
专利权的转移 IPC(主分类):C09D 4/02 登记生效日:20161220 变更前: 变更后: 申请日:20140114
专利申请权、专利权的转移
2017-01-11
专利权的转移 IPC(主分类):C09D 4/02 登记生效日:20161220 变更前: 变更后: 申请日:20140114
专利申请权、专利权的转移
2016-04-20
授权
授权
2014-06-11
实质审查的生效 IPC(主分类):C09D 4/02 申请日:20140114
实质审查的生效
2014-05-14
公开
公开
机译: 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物,用于制备用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物的方法,基于二氧化硅的绝缘层和用于制造二氧化硅基绝缘层的方法
机译: 用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物,用于制备用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法,基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
机译: 用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物,用于制备用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的方法,基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法