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绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法

摘要

本发明涉及一种绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法。该绝缘层用组合物按质量份计,包括稀释剂00份、酚醛树脂2份~10份、增粘剂0.3份~1.0份、交联剂5份~15份及白炭黑1份~5份。稀释剂、酚醛树脂、增粘剂、交联剂和白炭黑按合适的配比得到的上述绝缘层用组合物具有合适的黏度,因而具有较好的成膜性,有利于绝缘层用组合物的立体成型,在硅通孔中制备保形性好的绝缘层。并且,经实验证明,采用上述绝缘层用组合物在硅通孔中制备的绝缘层的介电常数较低,且吸湿率较低。

著录项

  • 公开/公告号CN103788736B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳先进技术研究院;

    申请/专利号CN201410017166.4

  • 发明设计人 孙蓉;张国平;姜坤;赵松方;

    申请日2014-01-14

  • 分类号C09D4/02(20060101);C09D4/06(20060101);C09D161/06(20060101);C09D5/25(20060101);C09D7/12(20060101);H01L21/31(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构44224 广州华进联合专利商标代理有限公司;

  • 代理人吴平

  • 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

  • 入库时间 2022-08-23 09:38:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-11

    专利权的转移 IPC(主分类):C09D 4/02 登记生效日:20161220 变更前: 变更后: 申请日:20140114

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-01-11

    专利权的转移 IPC(主分类):C09D 4/02 登记生效日:20161220 变更前: 变更后: 申请日:20140114

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-04-20

    授权

    授权

  • 2014-06-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09D 4/02 申请日:20140114

    实质审查的生效

  • 2014-05-14

    公开

    公开

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