机译:具有聚合物绝缘层的高长宽比和低电容的硅通孔(TSV)
Insitute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;
Insitute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;
Insitute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;
Insitute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing 100084, China;
capacitance; poly (propylene carbonate) (PPC); polymer liner; three-dimensional integration; through-silicon-via (TSV);
机译:高纵横比环形沟槽的苯并环丁烯聚合物填充,用于制造硅通孔(TSV)
机译:具有均匀苯并环丁烯绝缘层的低电容硅通孔
机译:聚酰亚胺衬里对通过硅通孔(TSV)高纵横比的影响:电学特性和铜突起
机译:用小直径的超高纵横比通过硅通孔(TSV)的Cu种子层的研制
机译:包含高纵横比的聚合物纳米复合材料微粒:共挤多层阻隔膜的创新
机译:具有剥离的高纵横比层状硅酸盐的分层触发延迟用于增强的阻气机械性能和可生物降解聚合物的可降解性
机译:具有剥离的高纵横比层状硅酸盐的分层触发延迟,用于增强的气体屏障,机械性能和可生物降解聚合物的可降解性(全球挑战9/2020)
机译:低速风洞对全尺寸,低纵横比,42°sWEpT-WING飞机构造的引导和拖尾边缘的吹制层控制的研究