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李德斌; 梁仁荣; 刘道广; 许军;
清华大学微电子学研究所;
绝缘层上应变硅; 动态阈值; MOSFET; 台阶掺杂;
机译:硅锗衬底上带有应变硅沟道的短沟道双材料栅MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅分析模型
机译:绝缘体上硅锗(SGOI)MOSFET上的短沟道双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)阈值电压的解析模型
机译:绝缘子上硅锗(SGOI)MOSFET上的亚阈值电流和短沟道应变硅(s-Si)的摆幅分析模型
机译:介电电荷对绝缘体上硅锗(SGOI)MOSFET的应变硅(s-Si)的亚阈值电流和亚阈值摆幅的影响的分析模型
机译:硅锗/硅垂直MOSFET和侧壁应变硅器件:设计和制造。
机译:动态应变扫描优化:一种有效的应变设计策略可实现平衡的产量效价和生产率。 DySScO应变设计策略
机译:硅锗(SiGe)MOSFET上的双材料栅极(DMG)应变硅(s-Si)的二维(2D)亚阈值电流和亚阈值摆幅模型。
机译:用于高性能纳米晶体管的绝缘层上的超薄复合半导体。
机译:绝缘金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上的应变硅和应变硅锗
机译:绝缘体金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上的应变硅和应变硅锗
机译:拉伸应变绝缘体上的锗化硅(SGOI)上的应变硅MOSFET
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