无需使用CMP工艺去除SOI衬底上硬掩模的结构和方法

摘要

本发明的实施例涉及无需使用CMP工艺去除SOI衬底上硬掩模的结构和方法。在无需使用化学机械抛光（CMP）工艺的情况下从SOI衬底去除硬掩模材料。在深沟槽反应离子刻蚀（RIE）工艺之后，在硬掩模材料上沉积阻挡材料。去除硬掩模材料的顶部上的阻挡材料。使用选择湿法刻蚀工艺去除硬掩模材料。有效控制槽的凹陷深度。