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一种FINFET以及采用该FINFET的应用电路

摘要

本发明提供一种FINFET以及采用该FINFET的应用电路,所述FINFET包括源极、栅极、漏极和偏置极,所述源极和漏极形成于衬底上且在源极和漏极之间形成有沟道区域,在所述沟道区域的外侧形成有栅氧层,所述栅极和所述偏置极形成于所述栅氧层的外侧,并且所述栅极和所述偏置极间隔有一定的距离。与现有技术相比,本发明中的FINFET将现有技术中的栅极分成栅极和偏置极,并将偏置极连接至偏置电压,可以减小FINFET关断时漏极和源极之间的漏电流,同时还可以减小FINFET的开关功率损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN102956693B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-12-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡中星微电子有限公司;

    申请/专利号CN201210433285.9

  • 发明设计人 王钊;

    申请日2012-11-01

  • 分类号H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);H03K17/687(20060101);

  • 代理机构32236 无锡互维知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴薇

  • 地址 214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦A区10层

  • 入库时间 2022-08-23 09:32:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-23

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L29/423 变更前: 变更后: 申请日:20121101

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2015-12-09

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 申请日:20121101

    实质审查的生效

  • 2013-03-06

    公开

    公开

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