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一种FINFET以及采用该FINFET的反相器

摘要

本实用新型提供一种FINFET以及采用该FINFET的反相器,所述FINFET包括源极、栅极、漏极和偏置极,所述源极和漏极形成于衬底上且在源极和漏极之间形成有沟道区域,在所述沟道区域的外侧形成有栅氧层,所述栅极和所述偏置极形成于所述栅氧层的外侧,并且所述栅极和所述偏置极间隔有一定的距离。与现有技术相比,本实用新型中的FINFET将现有技术中的栅极分成栅极和偏置极,并将偏置极连接至偏置电压,可以减小FINFET关断时漏极和源极之间的漏电流,同时还可以减小FINFET的开关功率损耗。

著录项

  • 公开/公告号CN202930389U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-05-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡中星微电子有限公司;

    申请/专利号CN201220575622.3

  • 发明设计人 王钊;

    申请日2012-11-01

  • 分类号

  • 代理机构无锡互维知识产权代理有限公司;

  • 代理人戴薇

  • 地址 214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清嘉路530大厦A区10层

  • 入库时间 2022-08-21 23:47:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/423 授权公告日:20130508 终止日期:20151101 申请日:20121101

    专利权的终止

  • 2013-05-08

    授权

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