IC工艺中降低热中子软错误率的方法

摘要

IC工艺中降低热中子软错误率的方案，通过对位于金属层顶部以上、并且与集成电路的金属层直接接触的保护层进行掺杂来提供集成电路、以及用于降低集成电路的热中子软错误率(SER)的方法，其中，该保护层掺杂有额外的热中子吸收材料。该热中子吸收材料可以选自包含Gd、Sm、Cd、B以及其组合的组。该保护层可以包括多个子层，这些子层中的多个子层包括额外的热中子吸收材料。