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一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺

摘要

一种在NPN型硅台面高反压管生产中的扩镓工艺,属于NPN型硅台面高反压管生产工艺。将抛光、氧化后的硅片置于扩散炉里进行开管扩镓,先采用低浓度镓掺杂,结深推移,后表面高浓度镓掺杂,两者在同一炉内连续完成以形成P型基区,在磷扩散再分布后再进行低温短时间补镓。镓杂质源由潮湿氢气携带。本发明工艺简单,弥补了已有工艺的不足,产品电参数有较大辐度提高,且一致性好。

著录项

  • 公开/公告号CN1011932B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1991-03-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 山东师范大学;

    申请/专利号CN88105238.8

  • 发明设计人 林玉松;李萍;

    申请日1988-04-02

  • 分类号H01L21/223;

  • 代理机构山东省高等院校专利事务所;

  • 代理人崔日新

  • 地址 山东省济南市文化东路

  • 入库时间 2022-08-23 08:54:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 1993-07-28

    专利权的终止未缴年费专利权终止

    专利权的终止未缴年费专利权终止

  • 1991-12-25

    授权

    授权

  • 1991-03-06

    审定

    审定

  • 1989-10-11

    公开

    公开

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