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王姝睿; 刘忠立; 李晋闽; 王良臣; 徐萍;
中国科学院半导体研究所;
碳化硅; pn结二极管; 6H-Sic;
机译:Al +和B +注入6H-SiC外延层及其在pn结二极管中的应用
机译:Al↓(+)和B↓(+)注入6H-SiC外延层及其在pn结二极管中的应用
机译:GaN衬底上的高击穿电压pn结二极管
机译:在超高质量6H-SiC衬底上制造不会正向退化的台面型pn二极管
机译:独立式氮化镓衬底上垂直pn结二极管的穿线位错分析和漏电流减小的研究
机译:通过使用MOS和PN结之间的反连接实现硅太阳能电池的高填充因子
机译:4H和6H-siC pn结二极管中的高场快速上升脉冲失效
机译:具有高阻断电压的台面半导体元件-在pn结附近具有指定的台面深度限制的杂质梯度
机译:开关设备用于机动车中的电动机,包括用于反极性保护的二极管,该二极管集成为半导体开关中的附加pn结或肖特基触点
机译:钝化半导体器件-尤其是台面二极管,其中pn结的边缘被二氧化硅膜覆盖
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