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王伟华;
南京半导体器件总厂;
硅平面; 功率晶体管; 反压; 设计; 工艺;
机译:单轴和双轴应力下硅金属氧化物半导体场效应晶体管与体硅的高场压阻系数比较
机译:使用经济高效的最小制造工艺研究圆形绝缘体上硅膜上制造的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的压阻效应
机译:气体反压和芯-回膨胀工艺对微孔注射聚丙烯的平面压缩性能
机译:通过单一的塑料兼容栅极氮化物沉积工艺,非晶硅薄膜晶体管的最佳低栅极场和高栅极场稳定性
机译:常压高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造,具有温度稳定性研究
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:硅平面谐振隧穿场效应晶体管的工艺开发
机译:用于高纵横比微加工零件的平面硅制造工艺
机译:在绝缘体上硅(SOI)晶片上形成具有嵌入式和多面源/漏应力源的平面场效应晶体管的方法,平面场效应晶体管结构和用于该平面场效应晶体管的设计结构
机译:在绝缘体上硅(S0I)晶片上形成具有嵌入式和多面源/漏应力源的平面场效应晶体管的方法,平面场效应晶体管结构和用于该平面场效应晶体管的设计结构
机译:在绝缘硅上(SOI)晶片上形成具有嵌入式和面状源/漏应力的平面场效应晶体管的方法,平面场效应晶体管结构以及平面场效应晶体管的设计结构
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